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产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN AF/SW 125V SOT-23两极晶体管 - BJT NPN Silicon AF Switching Transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Infineon Technologies BCX 41 E6433- |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/bcx41.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011449af3ad90232&fileId=db3a30431441fb5d011449afa8490233 |
| 产品型号 | BCX 41 E6433 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 900mV @ 30mA,300mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 40 @ 200mA,1V |
| 产品种类 | General Purpose Transistors |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 其它名称 | BCX41E6433HTMA1 |
| 功率-最大值 | 330mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 330 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.8 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 125V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 800mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 10µA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 25 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 25 at 100 uA at 1 V, 63 at 100 mA at 1 V, 40 at 200 mA at 1 V |
| 系列 | BCX41 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 125 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 125 V |
| 零件号别名 | BCX41E6433HTMA1 SP000010896 |
| 频率-跃迁 | 100MHz |